[21p-H111-1~22] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[21p-H111-21] ReRAMにおける抵抗変化ドライビングフォースとしてのSoret拡散の検討

〇木下 健太郎^1,2,3、小石 遼介¹、森山 拓洋^1,2、河野 公紀¹、宮下 英俊^1,2、李 相錫^1,2、岸田 悟^1,2 (1.鳥取大工、2.TiFREC、3.TEDREC)

キーワード：抵抗変化メモリ、シミュレーション、酸素欠損