[21p-H111-1~22] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[21p-H111-22] Ti系薄膜およびTiナノドットを埋め込んだSiO_x膜の抵抗変化特性評価

〇加藤 祐介¹、大田 晃生¹、牧原 克典¹、宮崎 誠一¹ (1.名大院工)

キーワード：抵抗変化メモリ、Tiナノドット、Si酸化物