[21p-H111-1~22] 6.3 酸化物エレクトロニクス

△ [21p-H111-3] 抵抗変化型メモリのアナログ的抵抗可変特性

〇曹 民圭¹、勝村 玲音¹、福地 厚¹、有田 正志¹、高橋 庸夫¹、安藤 秀幸²、森江 隆² (1.北大・院情報、2.九工大・生命体工)

キーワード：抵抗変化型メモリ

抵抗変化型メモリ（ReRAM）は金属の間に絶縁層を挟んだシンプルな構造の不揮発性デバイスである。近年、その抵抗を制御することで2値動作だけでなく、多値動作への応用も期待されている。また抵抗を離散的ではなくアナログ的に制御することで更なる応用ができる。本研究ではMoO_xを絶縁層として用いたReRAMデバイスのアナログ的抵抗制御について検討した。