[21p-H111-1~22] 6.3 酸化物エレクトロニクス

△ [21p-H111-8] Layer-by-Layer焼成雰囲気におけるBaTiO₃薄膜の抵抗変化型メモリ特性向上の研究

〇杉江 敏幸¹、橋本 修平¹、前島 壮¹、張 子洋¹、野田 実¹、山下 馨¹ (1.京工繊工芸)

キーワード：チタン酸バリウム、抵抗変化型メモリ、層ごとの

次世代不揮発性RAMの一種である抵抗変化型メモリ(ReRAM)の材料候補の一つに挙げられるBaTiO₃薄膜をMOD法を用いて成膜し、その作製過程においてLayer-by-Layer表面焼成の最適化による抵抗変化型メモリの耐久性などの問題点について改善を図る研究を行った。