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△ [21p-H121-13] AlGaN成長用表面窒化α-(AlGa)2O3基板の極微構造評価と熱的安定性評価
キーワード:酸化アルミニウムガリウム、窒化処理、透過電子顕微鏡
我々は高Al組成AlGaN混晶に格子整合する下地としてα-(AlGa)2O3薄膜を提案してきた。α-(AlGa)2O3薄膜は、その組成を自由に制御してα-(AlxGa1-x)2O3混晶を成長することが可能で、適切なAl組成をもつ(AlxGa1-x)2O3混晶に対して、RF窒素プラズマを用いた窒化処理を行うことで、所望のAl組成AlGaN混晶に格子整合したAlGaN層をα-(AlGa)2O3表面に形成できると考える。本発表では、窒化α-(AlGa)2O3のTEMを用いた極微構造評価とAl組成30、74%のα-(AlGa)2O3混晶に対する熱的安定性の評価を行った結果について報告する。