[21p-H121-1~17] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [21p-H121-13] AlGaN成長用表面窒化α-(AlGa)₂O₃基板の極微構造評価と熱的安定性評価

〇武馬 輝¹、増田 直¹、荒木 努¹、名西 憓之¹、織田 真也²、人羅 俊実² (1.立命館大、2.FLOSFIA)

キーワード：酸化アルミニウムガリウム、窒化処理、透過電子顕微鏡

我々は高Al組成AlGaN混晶に格子整合する下地としてα-(AlGa)2O3薄膜を提案してきた。α-(AlGa)2O3薄膜は、その組成を自由に制御してα-(AlxGa1-x)2O3混晶を成長することが可能で、適切なAl組成をもつ(AlxGa1-x)2O3混晶に対して、RF窒素プラズマを用いた窒化処理を行うことで、所望のAl組成AlGaN混晶に格子整合したAlGaN層をα-(AlGa)2O3表面に形成できると考える。本発表では、窒化α-(AlGa)2O3のTEMを用いた極微構造評価とAl組成30、74％のα-(AlGa)2O3混晶に対する熱的安定性の評価を行った結果について報告する。