[21p-H121-1~17] 15.4 III-V-group nitride crystals

△ [21p-H121-14] Optical characteristics of AlGaN/AlN-MQW on annealed AlN layer

〇Junya Hakamata¹, Toshiki Kusahuka¹, Takashi Senga¹, Motoaki Iwaya¹, Tetsuya Takeuchi¹, Satoshi Kamiyama¹, Hideto Miyake², Isamu Akasaki^1,3 (1.Meijo Univ., 2.Mie Univ., 3.Akasaki Research Center,Nagoya Univ.)

Keywords:AlN

高性能紫外発光素子の実現にサファイア上高品質AlN層の結晶成長は極めて重要である。これまで、サファイア上AlNを高温でアニールすることで結晶性が改善されるという報告がある。本研究では、アニールして高品質化したサファイア上AlN層を下地層としてMQW構造を再成長させ、その光学特性評価により、アニールしたAlN下地層の有用性を検討した。