[21p-H121-1~17] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [21p-H121-17] 窒化物半導体HFET型光センサの温度特性

〇牛田 彩希¹、吉川 陽^1,3、山本 雄磨¹、奥村 俊紀¹、岩谷 素顕¹、上山 智¹、竹内 哲也¹、赤﨑 勇^1,2 (1.名城大・理工、2.名古屋大・赤﨑記念研究センター、3.旭化成)

キーワード：半導体、光センサ

光電子増倍管は高感度光センサであるが、コスト面や機械的に脆弱であるなどの問題点がある。したがって、光電子増倍管に劣らない受光感度、リジェクション比を持つ固体デバイスが実現できれば有用性は高い。これまで、本グループでは受光端波長が220~280 nmのHFET型光センサを報告してきた。本研究では、窒化物半導体を用いたHFET型センサの低温特性を評価し、素子冷却によって、暗電流の低減、光電流の増大が可能であることを明らかにしたので報告する。