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一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[21p-H121-1~17] 15.4 III-V族窒化物結晶

2016年3月21日(月) 13:15 〜 18:00 H121 (本館)

宮嶋孝夫(名城大)、石井良太(京大)、新田州吾(名大)

14:30 〜 14:45

[21p-H121-6] 深紫外AlGaN MQW発光層の放射再結合効率の大幅向上

大橋隆宏¹、白岩佳子¹、〇鳥羽隆一¹ (1.東北大学大学院)

キーワード：窒化物半導体

　　　