[21p-H137-1~22] 7.2 電子ビーム応用

[21p-H137-17] 耐放射線性FEA撮像素子のための光電変換膜評価

〇増澤 智昭¹、根尾 陽一郎¹、岡本 保²、長尾 昌善³、後藤 康仁⁴、三村 秀典¹ (1.静岡大、2.木更津高専、3.産総研、4.京都大)

キーワード：耐放射線、電子源、撮像素子

本研究では，電界放出電子源(field emitter array: FEA)を用いた耐放射線性小型撮像素子の開発を目指し，撮像素子に用いられる光電変換膜の評価方法を検討した。CdTe/CdSダイオードおよび三硫化アンチモン膜を光電変換膜とし，電子線でスキャンすることによって光信号を検出した。光電変換膜評価のための条件と，評価結果について報告する。