[21p-P10-1~24] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[21p-P10-22] SiCデバイスの高速スイッチング時における不完全イオン化による影響のシミュレーション検討

〇海老原 洪平¹、川原 洸太朗¹、渡邊 寛¹、中田 修平¹、山川 聡¹ (1.三菱電機)

キーワード：SiC、不完全イオン化、シミュレーション