[21p-P13-1~10] 3.5 レーザー装置・材料

[21p-P13-4] 緑・青色InGaN半導体レーザの波長多重励起によるTi:sapphireモード同期レーザ

〇澤田 亮太¹、田中 裕樹¹、狩山 了介¹、神成 文彦¹ (1.慶大理工)

キーワード：チタンサファイア、半導体レーザ

青色InGaN半導体レーザー(LD)の高出力化に伴い、LD直接励起Ti:sapphireレーザーによる超短パルス発生が実現されている。しかし、励起波長が450nm付近の場合、励起誘起吸収と呼ばれる寄生損失の増加が報告されている。我々は励起誘起吸収の発生しない478nmのLDを用いた励起を実現した。本講演では緑・青色LDを複数台用いたTi:sapphireレーザーの高出力化について報告する。