[21p-P3-1~21] 6.2 カーボン系薄膜

[21p-P3-6] 高温高圧合成ナノ多結晶ダイヤモンドの基礎物性評価

〇石川 晃啓¹、濱田 幸佑¹、石川 史太郎¹、松下 正史¹、大藤 弘明²、新名 亨²、入船 徹男² (1.愛媛大学院理工、2.愛媛大学GRC)

キーワード：ダイヤモンド

ダイヤモンドは物質中で最高の熱伝導度に加え、高い硬度、透明性、絶縁破壊電界電圧・移動度などの優れた半導体としての物性を併せ持つ。現在省エネルギー素子として大きく期待される電力変換パワー半導体デバイスは、家電から各種輸送機器に至るまで、その材料が従来のSiからより高性能なSiCやGaNへと置き換えられている。この中にあってダイヤモンドは、さらに将来の高性能パワーデバイスを実現する一つの候補として期待されている。愛媛大学では、従来高温・高圧下でのダイヤモンド合成に取り組んでおり、近年は、世界最高級の超高圧発生装置により、通常のダイヤモンドよりも高硬度な、ナノ多結晶ダイヤモンド（ヒメダイヤ）の合成や、その高品質化・大型化に成功している。本研究はこのナノ多結晶ダイヤモンドの半導体応用材料としての展望を調べるため、その基礎物性を評価した結果について報告する。