[21p-P3-1~21] 6.2 カーボン系薄膜

△ [21p-P3-9] 光電子分光法によるBドープ超ナノ微結晶ダイヤモンド/水素化アモルファスカーボン混相膜のショットキー障壁高さ評価

〇(DC)花田 尊徳¹、大曲 新矢²、竹市 悟志¹、吉武 剛¹ (1.九大総理工、2.産総研)

キーワード：半導体、ダイヤモンド、放射光