2016年第63回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

17 ナノカーボン » 17.2 グラフェン

[21p-S011-1~20] 17.2 グラフェン

2016年3月21日(月) 13:45 〜 19:00 S011 (南講義棟)

神田 晶申(筑波大)、佐藤 信太郎(富士通研)

16:45 〜 17:00

[21p-S011-12] 酸化グラフェン電極の仕事関数制御と有機FETへの応用

〇(D)赤田 圭史1、小幡 誠司1、斉木 幸一朗1 (1.東大新領域)

キーワード:グラフェン、有機FET、仕事関数

本研究では酸化グラフェン(GO)に対して窒素・水素プラズマを用いた表面修飾を行い,仕事関数の大幅な低減に成功した。電極材料の仕事関数制御によってデバイス特性が変調可能になる。そこでGOを電極として用いてペンタセンFETデバイスを作製し,仕事関数とFET特性の関係を調べた。その結果GO電極の仕事関数低下により,p型半導体のペンタセンFETに両極性動作の傾向が表れた。