2016年第63回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[21p-S223-1~17] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

2016年3月21日(月) 13:30 〜 18:00 S223 (南2号館)

山口 憲司(原子力機構)、原 康祐(山梨大)

16:00 〜 16:15

[21p-S223-10] Effects of pulse laser annealing on the crystallinity and electrical properties of B-doped BaSi2 epitaxial thin films

〇(B)Miftahullatif Emha Bayu1、Urai H.1、Tsukahara Daichi1、Toko Kaoru1、Makimura Tetsuya1、Suemasu Takashi1 (1.Univ. of Tsukuba)

キーワード:semiconductor,silicide semiconductor,laser annealing