2016年第63回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

9 応用物性 » 9.3 ナノエレクトロニクス

[21p-S323-1~7] 9.3 ナノエレクトロニクス

2016年3月21日(月) 16:00 〜 17:45 S323 (南3号館)

葛西 誠也(北大)

16:30 〜 16:45

[21p-S323-3] 繰り返し金ナノ粒子を散布することで作製した単一電子素子

守屋 雅隆1、Tran Huong1、松本 和彦1、島田 宏1、木村 康男2、平野 愛弓3、水柿 義直1 (1.電通大、2.東京工科大、3.東北大)

キーワード:単一電子素子、ナノ粒子

ドレイン・ソース・ゲート電極を斜め蒸着法によって作製し、金ナノ粒子を繰り返し散布して単一電子素子を作製した。電流-電圧曲線にはクーロンブロッケード領域がみられた。