2016年第63回応用物理学会春季学術講演会

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[21p-S423-1~19] 13.9 光物性・発光デバイス

2016年3月21日(月) 13:45 〜 18:45 S423 (南4号館)

深田 晴己(金沢工大)、七井 靖(日大)

14:15 〜 14:30

[21p-S423-3] Wider Color Gamut LED Backlight using β-sialon:Eu2+ and K2SiF6:Mn4+ Phosphors

解 栄軍1、王 楽2、王 暁君1、高橋 向星1、武田 隆史1、広崎 尚登1、和泉 真3、吉村 健一3 (1.物材機構、2.中国計量学院、3.シャープ)

キーワード:Phosphor,LED backlight,Narrow-band

In this presentation, we propose to combine both narrow-band green (β-sialon:Eu2+) and red (K2SiF6:Mn4+) phosphors with a blue InGaN chip to achieve white light-emitting diodes (wLEDs) with a large color gamut and a high efficiency for use as the liquid crystal display (LCD)backlighting. The prepared three-band wLEDs have a high color temperature of 11,184 - 13,769 K (i.e., 7,828 - 8,611 K for LCD displays), and a luminous efficacy of 91 – 96 lm/W, measured under an applied current of 120 mA. The color gamut defined in the CIE 1931 and CIE 1976 color spaces are 85.5 - 85.9% and 94.3 - 96.2% of the NTSC standard, respectively.