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[21p-S611-2] Siフォトニック結晶変調器のp-n接合のドーピング濃度最適化
キーワード：変調器、フォトニック結晶、スローライト
我々はスローライト位相器をもつフォトニック結晶導波路 (PCW) 変調器を研究してきた．これまでに遮断周波数f3dBと位相変化量Δφの両立が期待される鋸歯形p-n接合を提案した．今回は鋸歯形接合におけるドーピング濃度の最適化を検討した.ドーピング濃度を高くするとΔφは大きく，f3dBは小さくなったが， RFΔφは0.26πまで向上した．一方で吸収損失は2.2 dBまで増加したが，Si細線とPCWの接続損失 およびPCWの散乱損失低減で補償できると考えている．