[21p-W521-1~18] 12.4 有機EL・トランジスタ

[21p-W521-16] 高移動度有機無機ペロブスカイトトランジスタ

〇松島 敏則^1,2、Sunbin Hwang¹、Atula S. D. Sandanayaka^1,2、Chuanjiang Qin^1,2、藤原 隆³、安達 千波矢^1,2 (1.九大OPERA、2.JST ERATO、3.ISIT)

キーワード：有機無機ペロブスカイト、電界効果トランジスタ、表面処理

本研究では、NH₃I-SAMで表面修飾した基板にスピンコートするとペロブスカイト薄膜の膜質とトランジスタ特性が向上することが分かった。基板表面のNH₃I末端基はペロブスカイト構造の一部として振る舞うために膜質が向上したのであろう。これまでで最も高い電界効果ホール移動度(最大で12 cm² V^-1 s^-1、平均で7.7 cm² V^-1 s^-1)が得られた。