[21p-W541-1~12] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

△ [21p-W541-1] AlGaN/GaN HEMT オフ耐圧とEL発光との相関

〇(M1)吉田 知司¹、大井 慎太郎¹、山崎 泰誠¹、Asubar Joel¹、徳田 博邦¹、葛原 正明¹ (1.福井大院工)

キーワード：AlGaN/GaN HEMT、EL発光、オフ耐圧

AlGaN/GaN HEMT は低損失パワースイッチングデバイスとして期待されている。オフ状態のHEMTに高ドレイン電圧を印加すると、ゲート・ドレイン電極間でのEL発光が報告されている。我々は前回、発光色と電流コラプスとの相関について報告した。今回、ドレイン電極の形状を周期的に変化させたHEMTを試作し、オフ耐圧とEL発光との相関について調べたので報告する。