[21p-W641-1~19] 6.1 強誘電体薄膜

△ [21p-W641-14] BiFeO₃系強誘電体薄膜の可視光下光起電力-Gap-State Engineeringによる材料設計-

〇(DC)松尾 拓紀¹、北中 佑樹¹、野口 祐二¹、宮山 勝¹ (1.東大院工)

キーワード：強誘電体、光起電力、薄膜

本講演では， BiFeO₃(BFO)強誘電体薄膜における可視光下光起電力特性の向上に向けた，gap-state engineeringによる材料設計ついて報告する．まずPLD法により作製したBFOのエピタキシャル薄膜において，Mnドーピングにより光起電力特性が増強されることを示す．さらに，光起電力テンソル解析，および電子状態計算によるバンド構造解析に基づいた特性向上のメカニズムについて議論する．