[21p-W641-1~19] 6.1 強誘電体薄膜

[21p-W641-2] (111)SrTiO₃基板上への(Ba,La)SnO₃薄膜の作製と特性評価

〇三浦 光平¹、山下 紘誉¹、小前 智也¹、吉村 武¹、芦田 淳¹、藤村 紀文¹ (1.阪府大工)

キーワード：半導体、薄膜、電極

BaSnO₃は3.1 eVの大きなバンドギャップと比較的小さな電子有効質量(0.20m0)を特徴とする高移動度を示す透明酸化物半導体や導電膜の候補物質として注目されている。本研究は、パルスレーザー堆積法を用いて、 (111)SrTiO₃基板上へのBaSnO₃の製膜を行い、その電気輸送特性の評価を行った。基板温度750 ^oC、酸素分圧100 mTorrで作製した試料において、移動度μ = 53.9 cm²V^-1s^-1を得ることに成功した。