[21p-W641-1~19] 6.1 強誘電体薄膜

△ [21p-W641-3] {110}一軸配向ペロブスカイト型酸化物薄膜の作製と結晶構造解析

〇(B)佐藤 智也¹、木村 純一²、一ノ瀬 大地²、三村 和仙²、舟窪 浩²、内山 潔¹ (1.鶴岡高専、2.東工大)

キーワード：ペロブスカイト、配向膜、エピタキシャル成長

ペロブスカイト型酸化物であるBa(Ce,Y)O3をスパッタ法により(111)Pt/Si基板上に作製することで、{110}面に一軸配向した薄膜が得られた。そのため、(111)Pt/Si基板上に{110}配向のペロブスカイトを作製するためのバッファー層としての応用が期待される。単結晶(111)Pt/(111)SrTiO3基板上に作製したBa(Ce,Y)O3薄膜では、(110)および(111)面にエピタキシャル成長し、中でも(110)配向がドミナントであることが示唆された。さらにBa(Ce,Y)O3の(110)面は、面内方向に約10.5°の傾きをもって配向することを明らかにした。