2016年第63回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[22a-H121-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

2016年3月22日(火) 08:45 〜 11:45 H121 (本館)

赤坂 哲也(NTT)、斎藤 義樹(豊田合成)

08:45 〜 09:00

[22a-H121-1] (0001)面AlGaN/AlNヘテロ構造におけるすべり系と格子緩和モデル

〇(DC)市川 修平1、船戸 充1、川上 養一1 (1.京大院工)

キーワード：AlGaN、臨界膜厚、格子緩和