2016年第63回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(ポスター講演)

6 薄膜・表面 » 6.3 酸化物エレクトロニクス

[22a-P4-1~27] 6.3 酸化物エレクトロニクス

2016年3月22日(火) 09:30 〜 11:30 P4 (屋内運動場)

09:30 〜 11:30

[22a-P4-3] Au/CuOx/(CuxNiySiz)mOn/n-Si構造の抵抗変化型不揮発性メモリ

岩佐 太陽1、塚本 貴広1、須田 良幸1 (1.東京農工大院工)

キーワード:抵抗変化型不揮発性メモリ