2016年第63回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

17 ナノカーボン » 17.3 層状物質

[22a-S421-1~11] 17.3 層状物質

2016年3月22日(火) 09:00 〜 12:00 S421 (南4号館)

宮田 耕充(首都大)

09:30 〜 09:45

[22a-S421-3] 拡散・析出法によるh-BN薄膜の形成過程

鈴木 哲1、小川 友以1、Wang Shengnan1、山本 秀樹1 (1.NTT物性基礎研)

キーワード:六方晶窒化ホウ素、SEM、オージェ電子分光

拡散・析出法は、固相反応のみによる非常に簡便なh-BN成長手法である。また、二層目以降のh-BN層も触媒効果を持つ金属表面、即ちすでに形成されたh-BNの下層に形成されると考えられるため、特に多層薄膜の成長に対して有望な手法である。今回我々は、拡散・析出法によりh-BN薄膜が形成される過程をSEM、マイクロオージェ分光、EBSDなどで観察、測定したので報告する。