[22a-W351-1~10] 12.3 機能材料・萌芽的デバイス

[22a-W351-2] 導電性高分子薄膜の分子配向構造の深さ方向解析

水野 佑¹、大野 慶太¹、原 光生¹、〇永野 修作²、山本 勝宏³、関 隆広¹ (1.名大院工、2.名大BVL、3.名工大院工)

キーワード：斜入射X線散乱構造解析、半導体高分子、超薄膜

斜入射X線散乱測定のX線入射角を変えて測定を行い、スピンコートにより作製したHT-P3HTおよびN2200薄膜の深さ方向の分子配向構造解析を行った。HT-P3HT膜は、最表面ににてedge-on配向を示し、基板近傍ではface-on配向となることが明らかとなった。