[22a-W521-1~12] 12.4 有機EL・トランジスタ

[22a-W521-9] AuGeソース/ドレイン電極を用いたボトムコンタクト型ペンタセンOFETの作製

〇廣木 瑞葉¹、前田 康貴¹、大見 俊一郎¹ (1.東工大総理工)

キーワード：ペンタセン、AuGe

本研究では、OFETの微細化および集積化を目的として、ボトムコンタクト型OFETの作製プロセスに関する検討を行っている。一般に、p型ペンタセンOFETのソース/ドレイン電極としてはAuが用いられるが、リフトオフによるパターニングにおいてSiO₂との密着性に課題がある。そこで今回は、SiO₂上での密着性に優れたAuGeをソース/ドレイン電極として用いたボトムコンタクト型OFETの作製に関する検討を行った。