[22p-S222-1~9] 21.1 合同セッションＫ ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

△ [22p-S222-8] 溶液法で作製したアモルファスIGZO薄膜の伝達特性に与えるイオン注入とアニールの効果

〇(M2)陳 東京¹、森本 貴明¹、福田 伸子²、大木 義路^1,3 (1.早大先進理工、2.産総研FLEC、3.早大材研)

キーワード：IGZO、溶液法、イオン注入

IGZO前駆体溶液をSiウエハに塗布して大気中250°Cにて焼成した。焼成後にP⁺イオン注入と250℃アニールを行ったところ、On電流が増大し、ヒステリシスが減少した。Ga3d、In3d_5/2、Zn2p_3/2電子の結合エネルギーはいずれもイオン注入によって上昇するため、In、Ga、Znより自由電子が供給されると考える。また、酸素欠損はイオン注入後のアニールにより減少し、On電流増加の原因と考える。