赤沢方省

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発表者・著者、共著者

2017年9月8日(金) 09:30 〜 11:30 A414 (414)

一般セッション(口頭講演)
| 13 半導体
| 13.9 光物性・発光デバイス

[8a-A414-1~8] 13.9 光物性・発光デバイス

10:45 〜 11:00

[8a-A414-6] サファイア基板上ZnGa₂O₄:Euエピタキシャル膜の発光特性

〇赤沢方省¹、篠島弘幸² (1.NTT DIC、2.久留米高専)

2017年9月7日(木) 09:00 〜 12:15 C17 (研修室2)

一般セッション(口頭講演)
| 21 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」
| 21.1 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[7a-C17-1~12] 21.1 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

11:15 〜 11:30

[7a-C17-9] ZnO系透明導電膜の特性とPLスペクトルの対応

〇赤沢方省¹ (1.NTT DIC)