16:45 〜 17:00 △ [7p-A402-14] 大気圧プラズマCVDによるSiOxゲート絶縁膜の形成プロセスの開発 〇木元 雄一朗1、寺脇 功士1、山崎 啓史1、前川 健史1、大参 宏昌1、垣内 弘章1、安武 潔1 (1.阪大院工)