11:00 〜 11:15 △ [8a-S22-8] NO2ホールドーピング水素終端ダイヤモンドMOS FETのDCストレスによる劣化メカニズムの検討 〇(M2)舟木 浩祐1、石松 裕真1、桝谷 聡士1、宮崎 恭輔1、大島 孝仁1、嘉数 誠1、大石 敏之1 (1.佐大院工)