09:30 〜 11:30 [7a-PB3-1] プラズマ酸化による酸化濃縮GOI層の薄膜化により作製した極薄ひずみGOI pMOSFETs 〇(D)金 佑彊1、竹中 充1、高木 信一1 (1.東大院工)