18:15 〜 18:30 [6p-A201-18] SiC p+nn+ダイオード中の発光中心のバイアス電圧による発光強度変化 〇本多 智也1,2、常見 大貴1,2、児島 一聡3、佐藤 真一郎2、牧野 高紘2、小野田 忍2、土方 泰斗1、大島 武2 (1.埼大院理工、2.量研、3.産総研)