16:00 〜 18:00 [6p-PA8-26] 光電気化学反応を利用したn-GaN表面層の低損傷エッチング 〇松本 悟1、佐藤 威友1、成田 哲生2,3、加地 徹3、橋詰 保1,3 (1.北大 量集セ、2.豊田中央研究所、3.名大 未来材料・システム研)