18:30 〜 18:45 [6p-A201-19] 4H-SiC MOSFETチャネルの単一光子源のゲート電圧制御 〇梅田 享英1、阿部 裕太1、岡本 光央2、原田 信介2、春山 盛善3、加田 渉3、花泉 修3、小野田 忍4、大島 武4 (1.筑波大数物、2.産総研、3.群馬大、4.量研機構)