15:45 〜 16:00 [5p-C21-8] MOVPE法によるGeSn層とGaAs層の一括成長の検討 〇(M1)藤原 由生1、高橋 翔1、藤澤 剛2、前田 幸治1、荒井 昌和1 (1.宮崎大工、2.北大工)