11:15 〜 11:30 [8a-C18-9] メタルS/D型 Ge n-MOSFET のチャネル移動度の基板濃度依存性 〇坂口 大成1、秋山 健太郎1、山本 圭介1、王 冬1、中島 寛2 (1.九大・大学院総理工、2.九大・GIC)