一般セッション(口頭講演)
6 薄膜・表面 » 6.3 酸化物エレクトロニクス
09:30 〜 09:45
〇菅 大介1、水牧 仁一朗2、島川 祐一1 (1.京大化研、2.JASRI/SPring-8)
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09:45 〜 10:00
〇壽賀 友貴1、吉井 文哉1、松浦 由佳1、寺嶋 健成2、脇田 高徳2、横谷 尚睦2、村岡 祐治2 (1.岡山大院自然科学、2.岡山大基礎研)
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10:00 〜 10:15
He Yong1、〇長島 一樹1、吉田 秀人2、高橋 綱己1、Zhang Guozhu1、金井 真樹1、竹田 精治2、柳田 剛1 (1.九大先導研、2.阪大産研)
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10:15 〜 10:30
〇(DC)Dauksta Edvins1,2、Medvids Arturs2、Mizeikis Vygantas1、Murakami Kenji1 (1.Shizuoka Univ.、2.Riga Technical Univ.)
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10:30 〜 10:45
〇(D)穴田 壮人1、中西ー大野 義典2、岡田 真人3、木村 剛3、若林 裕助1 (1.阪大基礎工、2.東大総合文化、3.東大新領域)
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10:45 〜 11:00
〇帶刀 理沙1、賈 軍軍1、重里 有三1 (1.青学大理工)
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11:00 〜 11:15
Sameera Attanayake2、Masayuki Okaya1、〇Kenji Murakami1 (1.GSIST, Shizuoka Univ.、2.GSST, Shizuoka Univ.)
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11:15 〜 11:30
〇池田 稔1、大野 隆央1、三石 和貴1、稲熊 宜之2、舩山 耕生2、森 大輔2,3 (1.物材機構、2.学習院大理、3.三重大工)
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