[5a-C17-1~10] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[5a-C17-1] 窒素添加β-Ga₂O₃ (010) 薄膜のオゾンMBE成膜と特性評価

〇上村 崇史¹、中田 義昭¹、倉又 朗人²、山腰 茂伸²、東脇 正高¹ (1.情通機構、2.タムラ製作所)

キーワード：酸化ガリウム、窒素、ドーピング

種々のGa₂O₃パワーデバイス開発において、半絶縁もしくはp型Ga₂O₃層が求められている。また我々は、ディープアクセプタとして機能することが期待される窒素 (N)のイオン注入ドーピング技術の開発を行ってきた。今回、このNイオン注入ドーピングの成果を受けて、分子線エピタキシー (MBE) によるNドープGa₂O₃成膜を試み、その電気的特性評価を行ったので報告する。