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一般セッション(口頭講演)

6 薄膜・表面 » 6.3 酸化物エレクトロニクス

[5p-A202-1~18] 6.3 酸化物エレクトロニクス

2017年9月5日(火) 13:15 〜 18:00 A202 (202)

島久(産総研)、西佑介(京大)

13:45 〜 14:00

[5p-A202-3] Cu析出Ta₂O₅分子膜ギャップ原子スイッチを用いた連続的な抵抗変化制御

〇(M1)葛西亜衣¹、鶴岡徹²、長谷川剛¹ (1.早大先進理工、2.物材機構)

キーワード：抵抗変化素子