[5p-A301-1~19] 15.4 III-V族窒化物結晶

[5p-A301-14] マクロステップ上に形成されたAlGaN深紫外線LEDのEL特性 (1)

〇平野 光¹、金田 倫子¹、長澤 陽祐¹、一本松 正道¹、本田 善央^2,3、天野 浩²、赤﨑 勇^3,4 (1.創光科学、2.名大-IMaSS、3.名大-ARC、4.名城大理工)

キーワード：AlGaN、発光ダイオード、深紫外

(0001)平面サファイア基板上に1200-1300℃で連続成長されるAlNテンプレートを用いたAlGaN DUV-LEDのオフ角依存性を検討した。高密度のマクロステップを有するAlNテンプレート上のAlGaNは結晶性がよく、高い発光効率と耐久性を示した。280-300 nmで、内部量子効率は少なくとも６０％に達し、製造にも適する。