[5p-A301-1~19] 15.4 III-V族窒化物結晶

[5p-A301-15] マクロステップ上に形成されたAlGaN 深紫外LED のEL特性(2)

〇長澤 陽祐¹、金田 倫子¹、平野 光¹、一本松 正道¹、本田 善央²、天野 浩²、赤﨑 勇^3,4 (1.創光科学株式会社、2.名大-IMaSS、3.名大-ARC、4.名城大理工)

キーワード：AlGaN、発光ダイオード、深紫外

m軸方向に1.0^oオフ角を設けた(0001)平面サファイア基板上に1200-1300℃で連続成長される高密度のマクロステップ有するAlNテンプレート上のLED多層膜を最適化した。 AlGaN-深紫外(DUV)-LEDの電流注入発光(EL)半値幅と強度に正の相関関係が得られた。