[5p-A301-1~19] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [5p-A301-2] MOVPE法による低抵抗GaNトンネル接合

〇(M1)不破 綾太¹、赤塚 泰斗¹、竹内 哲也¹、岩谷 素顕¹、上山 智¹、赤崎 勇^1,2 (1.名城大・理工、2.名古屋大・赤崎記念研究センター)

キーワード：窒化物半導体、トンネル接合

MOVPE法により作製した窒化物半導体トンネル接合では、高InNモル分率組成傾斜GaInNを利用することで従来の金属/pコンタクト接合と同等の低い抵抗が実現している。しかしながら、低光吸収が期待されるGaNトンネル接合ではこれより数V高い駆動電圧を示す。本研究では、MOVPE法にてGaNトンネル接合界面に再成長、酸化プロセスを導入することでGaInNトンネル接合や金属/pコンタクト接合と同程度の低い駆動電圧が得られた。