[5p-A301-1~19] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [5p-A301-4] 面発光レーザへの応用に向けた窒化物半導体埋め込みトンネル接合

〇赤塚 泰斗¹、不破 綾太¹、岩山 章¹、竹内 哲也¹、岩谷 素顕¹、上山 智¹、赤﨑 勇^1,2 (1.名城大理工、2.名古屋大・赤﨑記念研究センター)

キーワード：トンネル接合

窒化物半導体トンネル接合は、高い吸収係数を持つITO電極の代わりとして、青色面発光レーザに活用されている。更に、このトンネル接合を埋め込むことで、電流狭窄構造として期待される。他研究機関の報告では、明確な電流狭窄が実現されているが、いくつかの課題も報告されている。本研究では、MOVPE法を用いてGaN自立基板上に低抵抗窒化物半導体トンネル接合を用いた埋め込みトンネル接合を形成し、電気的特性を評価した。