[5p-A504-1~17] 12.2 評価・基礎物性

[5p-A504-6] 硫黄含有フェナセン系分子薄膜相の配向と電子状態

〇大内 駿¹、沼田 千尭¹、山口 拓真^2,3、M. Meissner³、上羽 貴大^2,3、吉田 弘幸¹、西原 康師⁴、解良 聡^1,2,3 (1.千葉大院融合、2.総研大、3.分子研、4.岡山大)

キーワード：有機半導体

有機デバイスは界面での薄膜構造と電子状態の相関に関する知見を得ることが重要である。本研究は硫黄の位置により異性体構造を持つ硫黄含有フェナセン(PDT1、PDT2)を各種基板上に真空蒸着し、薄膜作製した。HOPG上のUPS結果から、PDT1は2層目以降を形成せず、PDT2は異なる配向で膜成長している。つまり硫黄の位置により凝集エネルギーが異なる。講演では硫黄の位置に依存した分子配向と電子状態の相関をHOPG上とAu(110)上の比較を加えながら議論する。