[5p-C17-1~17] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

△ [5p-C17-5] プラズマCVD成膜したSiO₂/AlGaN界面特性の成膜電力および温度依存性

〇寺島 大貴¹、渡邉 健太¹、山田 高寛¹、野﨑 幹人¹、施 泓安²、中澤 敏志²、按田 義治²、上田 哲三²、吉越 章隆³、細井 卓治¹、志村 考功¹、渡部 平司¹ (1.阪大院工、2.パナソニック、3.原子力機構)

キーワード：半導体、窒化ガリウム、AlGaN/GaN MOSHFET

高性能AlGaN/GaN-HFETの実現にはノーマリオフ化やゲートリーク電流抑制のためMOSゲート構造が望ましいが、絶縁膜/AlGaN界面制御が重要な課題となっている。SiO₂はバンドギャップの広さからAlGaNに対する有望なゲート絶縁膜の一つであるが、報告例はAl₂O₃に比べて少なく、SiO₂/AlGaN界面特性に関する知見は不十分である。本研究ではRFプラズマCVD法およびスパッタ法によりSiO₂膜の成膜を行い、プラズマ投入電力や基板温度がSiO₂/AlGaN界面および電気特性に与える影響を評価した。