[5p-C21-1~13] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[5p-C21-1] 希釈窒化物半導体中の窒素原子配置によるバンドギャップへの影響

〇(M2)宮島 数喜¹、八木 修平¹、庄司 靖²、岡田 至崇²、矢口 裕之¹ (1.埼大理工、2.東大先端研)

キーワード：GaAsN、分子線エピタキシー、希釈窒化物半導体