[5p-C21-1~13] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

△ [5p-C21-11] 青色半導体レーザを照射したInSb膜の電気的特性

〇(D)Koswaththage Jayanada Charith¹、東迫 達行¹、岡田 竜弥¹、野口 隆¹ (1.琉球大工)

キーワード：InSb、BLDA、ホールデバイス

InSbホール素子製造に用いられるマイカ基板は希少材料であり、近い将来入手が困難になると予測される。本実験では、ガラス上にInSb薄膜を製膜し、高温短時間の制御性ですぐれるレーザーアニール (BLDA: Blue Laser Diode Annealing) を使い、アニール前後での反射率による結晶性及びホール移動度の測定を行い、評価した。