[5p-C21-1~13] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[5p-C21-4] GaAs_1-xBi_x フォトダイオードの分光感度特性

〇岳山 恭平¹、鈴木 耕作¹、長谷川 将¹、西中 浩之¹、吉本 昌広¹ (1.京都工維大)

キーワード：半導体、GaAsBi、分光感度特性